maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / ALD110800ASCL
Référence fabricant | ALD110800ASCL |
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Numéro de pièce future | FT-ALD110800ASCL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | EPAD®, Zero Threshold™ |
ALD110800ASCL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 4 N-Channel, Matched Pair |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 10.6V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 10mV @ 1µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALD110800ASCL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ALD110800ASCL-FT |
SI4943CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4943CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4944DY-T1-E3
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SI4944DY-T1-GE3
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SI4947ADY-T1-E3
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SI4952DY-T1-E3
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SI4953ADY-T1-E3
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SI4953ADY-T1-GE3
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XC2S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel