maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / ALD210800SCL
Référence fabricant | ALD210800SCL |
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Numéro de pièce future | FT-ALD210800SCL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | EPAD®, Zero Threshold™ |
ALD210800SCL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 4 N-Channel, Matched Pair |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 10.6V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 Ohm |
Vgs (th) (Max) @ Id | 20mV @ 10µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 5V |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALD210800SCL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ALD210800SCL-FT |
SI4942DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4943CDY-T1-E3
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XC6SLX150T-N3FG900C
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel