maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / ALD1108ESCL
Référence fabricant | ALD1108ESCL |
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Numéro de pièce future | FT-ALD1108ESCL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | EPAD® |
ALD1108ESCL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 4 N-Channel, Matched Pair |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 10V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 5V |
Puissance - Max | 600mW |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALD1108ESCL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ALD1108ESCL-FT |
SI4947ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4952DY-T1-E3
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SI4952DY-T1-GE3
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XCKU035-2FBVA676E
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XC6SLX75-L1FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FG256A
Microsemi Corporation
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Intel
EP2C50F484C8
Intel
EP1C12F256C7N
Intel
5SGXEA5N2F45I3N
Intel
XCKU5P-2SFVB784E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation