maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI4965DY-T1-GE3
Référence fabricant | SI4965DY-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI4965DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4965DY-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4965DY-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4965DY-T1-GE3-FT |
SI4210DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4214DDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4214DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4214DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4226DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4226DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4228DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4228DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4230DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4276DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1020B-1PQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5AGZME7K2F40C3N
Intel
5SGXEB6R2F43I3L
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
EP3SE80F1152C2N
Intel
XC2V1000-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FFG1156C
Xilinx Inc.