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Référence fabricant | SI4214DDY-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI4214DDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4214DDY-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
Puissance - Max | 3.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4214DDY-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4214DDY-T1-GE3-FT |
PMWD26UN,518
NXP USA Inc.
PMWD30UN,518
NXP USA Inc.
STC5DNF30V
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5SGXEA7K2F35C2N
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10AX057K4F35E3LG
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10AX016E3F27I1HG
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