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NXP USA Inc. PMWD30UN,518

Numéro de pièce MFG
PMWD30UN,518
quantité disponible
58460 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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PMWD30UN,518 Caractéristiques

Référence fabricant PMWD30UN,518
Numéro de pièce future FT-PMWD30UN,518
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMOS™
PMWD30UN,518 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1478pF @ 10V
Puissance - Max 2.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-TSSOP
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMWD30UN,518 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMWD30UN,518-FT

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