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NXP USA Inc. PMWD26UN,518

Name: PMWD26UN,518
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PMWD26UN,518
Availability: InStock
Rating: 4.7 (551 reviews)

Numéro de pièce MFG: PMWD26UN,518

quantité disponible: 84260 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PMWD26UN,518.pdf

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PMWD26UN,518 Caractéristiques

Référence fabricant	PMWD26UN,518
Numéro de pièce future	FT-PMWD26UN,518
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchMOS™
PMWD26UN,518 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	7.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1366pF @ 16V
Puissance - Max	3.1W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	8-TSSOP
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMWD26UN,518 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PMWD26UN,518-FT

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