maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI6966DQ-T1-E3
Référence fabricant | SI6966DQ-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI6966DQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI6966DQ-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 830mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6966DQ-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI6966DQ-T1-E3-FT |
SI1913DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1913EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1917EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1922EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1958DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1965DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1965DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1967DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1967DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1970DH-T1-E3
Vishay Siliconix
LFEC1E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K70T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel