maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI4966DY-T1-E3
Référence fabricant | SI4966DY-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI4966DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4966DY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4966DY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4966DY-T1-E3-FT |
SI4214DDY-T1-E3
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Intel
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Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG225I
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35C5N
Intel