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Vishay Siliconix SI4966DY-T1-E3

Numéro de pièce MFG
SI4966DY-T1-E3
quantité disponible
18740 Pièces
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SI4966DY-T1-E3.pdf
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SI4966DY-T1-E3 Caractéristiques

Référence fabricant SI4966DY-T1-E3
Numéro de pièce future FT-SI4966DY-T1-E3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET®
SI4966DY-T1-E3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SO
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI4966DY-T1-E3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SI4966DY-T1-E3-FT

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