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Vishay Siliconix SI5915DC-T1-GE3

Numéro de pièce MFG
SI5915DC-T1-GE3
quantité disponible
96210 Pièces
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SI5915DC-T1-GE3.pdf
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SI5915DC-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SI5915DC-T1-GE3
Numéro de pièce future FT-SI5915DC-T1-GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET®
SI5915DC-T1-GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur 1206-8 ChipFET™
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5915DC-T1-GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SI5915DC-T1-GE3-FT

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