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Référence fabricant | SIS782DN-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIS782DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SIS782DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1025pF @ 15V |
Caractéristique FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipation de puissance (max) | 41W (Tc) |
Température de fonctionnement | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS782DN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIS782DN-T1-GE3-FT |
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Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
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Intel
EP1K30FC256-2
Intel
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Intel
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation