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Référence fabricant | SIA450DJ-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIA450DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SIA450DJ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 240V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.52A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.04nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 167pF @ 120V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.3W (Ta), 15W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paquet / caisse | PowerPAK® SC-70-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA450DJ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIA450DJ-T1-GE3-FT |
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
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A42MX36-1PQG208I
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EP2S15F484C3
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EP1S10F484C7N
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EP2AGX45DF25I5
Intel
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation