maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SIA467EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix SIA467EDJ-T1-GE3
- Numéro de pièce MFG
- SIA467EDJ-T1-GE3
- quantité disponible
- 82130 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Vishay Siliconix
- Brève description
- TrenchFET® MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- SIA467EDJ-T1-GE3.pdf
SIA467EDJ-T1-GE3 Caractéristiques
| Référence fabricant | SIA467EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-SIA467EDJ-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | TrenchFET® |
| SIA467EDJ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 31A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2520pF @ 6V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paquet / caisse | PowerPAK® SC-70-6 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIA467EDJ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | SIA467EDJ-T1-GE3-FT |
Comment commander?
Demande d'offre - Confirmer le prix - Commande - Paiement - Envoi - Faitméthodes de livraison
1) DHL (1-3 days)2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Calcul du fret: veuillez nous contacter
Comment contacter?
Notre Email: [email protected]méthodes de payement
1) Bank Transfer (Wire Transfer)2) Paypal (Credit Card)
3) Western Union
4) MoneyGram
5) Others
Composants associés dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simple
TPC8036-H(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8038-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8042(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8051-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8062-H,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8109(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8110(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8111(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8113(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8115(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
Composants de vente à chaud
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel