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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8115(TE12L,Q,M)

Name: TPC8115(TE12L,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8115(TE12L,Q,M)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (348 reviews)

Numéro de pièce MFG: TPC8115(TE12L,Q,M)

quantité disponible: 66150 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSIV MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TPC8115(TE12L,Q,M).pdf

TPC8115(TE12L,Q,M) Caractéristiques

Référence fabricant	TPC8115(TE12L,Q,M)
Numéro de pièce future	FT-TPC8115(TE12L,Q,M)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSIV
TPC8115(TE12L,Q,M) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	115nC @ 5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9130pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-SOP (5.5x6.0)
Paquet / caisse	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8115(TE12L,Q,M) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TPC8115(TE12L,Q,M)-FT

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