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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110(TE12L,Q,M)

Name: TPC8110(TE12L,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8110(TE12L,Q,M)
Availability: InStock
Rating: 4.9 (668 reviews)

Numéro de pièce MFG: TPC8110(TE12L,Q,M)

quantité disponible: 64320 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSIII MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TPC8110(TE12L,Q,M).pdf

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TPC8110(TE12L,Q,M) Caractéristiques

Référence fabricant	TPC8110(TE12L,Q,M)
Numéro de pièce future	FT-TPC8110(TE12L,Q,M)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSIII
TPC8110(TE12L,Q,M) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-SOP (5.5x6.0)
Paquet / caisse	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8110(TE12L,Q,M) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TPC8110(TE12L,Q,M)-FT

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