maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SIA477EDJT-T1-GE3
Vishay Siliconix SIA477EDJT-T1-GE3
- Numéro de pièce MFG
- SIA477EDJT-T1-GE3
- quantité disponible
- 57800 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.150176
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Vishay Siliconix
- Brève description
- TrenchFET® Gen III MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- SIA477EDJT-T1-GE3.pdf
SIA477EDJT-T1-GE3 Caractéristiques
| Référence fabricant | SIA477EDJT-T1-GE3 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-SIA477EDJT-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | TrenchFET® Gen III |
| SIA477EDJT-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3050pF @ 6V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 19W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paquet / caisse | PowerPAK® SC-70-6 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIA477EDJT-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | SIA477EDJT-T1-GE3-FT |
Comment commander?
Demande d'offre - Confirmer le prix - Commande - Paiement - Envoi - Faitméthodes de livraison
1) DHL (1-3 days)2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Calcul du fret: veuillez nous contacter
Comment contacter?
Notre Email: [email protected]méthodes de payement
1) Bank Transfer (Wire Transfer)2) Paypal (Credit Card)
3) Western Union
4) MoneyGram
5) Others
Composants associés dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simple
TPC8042(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8051-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8062-H,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8109(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8110(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8111(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8113(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8115(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8126,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8A02-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
Composants de vente à chaud
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel