maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SIL3407-TP
Référence fabricant | SIL3407-TP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SIL3407-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SIL3407-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.1A |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 350mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-6L |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIL3407-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIL3407-TP-FT |
TK40E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK50E06K3A,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK50E08K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK55D10J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK60D08J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK60E08K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK70D06J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
ZXM64P035L3
Diodes Incorporated
SI3134KL-TP
Micro Commercial Co
SI3139KL-TP
Micro Commercial Co
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel