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TK60D08J1(Q) Image

Toshiba Semiconductor and Storage TK60D08J1(Q)

Numéro de pièce MFG
TK60D08J1(Q)
quantité disponible
62490 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TK60D08J1(Q).pdf
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TK60D08J1(Q) Caractéristiques

Référence fabricant TK60D08J1(Q)
Numéro de pièce future FT-TK60D08J1(Q)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TK60D08J1(Q) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 75V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5450pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220(W)
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK60D08J1(Q) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TK60D08J1(Q)-FT

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