maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / ZXM64P035L3
Référence fabricant | ZXM64P035L3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ZXM64P035L3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZXM64P035L3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 35V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.3A (Ta), 12A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 825pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta), 20W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXM64P035L3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZXM64P035L3-FT |
RJK4006DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJK4007DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJK5026DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJL5012DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
SPA03N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA04N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA06N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA07N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPA07N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA08N50C3XKSA1
Infineon Technologies