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Référence fabricant | SI7956DP-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI7956DP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7956DP-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7956DP-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7956DP-T1-E3-FT |
TMC1340-SO
Trinamic Motion Control GmbH
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