maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / TPC8208(TE12L,Q,M)
Référence fabricant | TPC8208(TE12L,Q,M) |
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Numéro de pièce future | FT-TPC8208(TE12L,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TPC8208(TE12L,Q,M) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.5A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 10V |
Puissance - Max | 450mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP (5.5x6.0) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPC8208(TE12L,Q,M) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPC8208(TE12L,Q,M)-FT |
SI4914BDY-T1-E3
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