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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8212-H(TE12LQ,M

Name: TPC8212-H(TE12LQ,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8212-H(TE12LQ,M
Availability: InStock
Rating: 4.9 (57 reviews)

Numéro de pièce MFG: TPC8212-H(TE12LQ,M

quantité disponible: 33000 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf

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TPC8212-H(TE12LQ,M Caractéristiques

Référence fabricant	TPC8212-H(TE12LQ,M
Numéro de pièce future	FT-TPC8212-H(TE12LQ,M
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TPC8212-H(TE12LQ,M Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 10V
Puissance - Max	450mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	8-SOP (5.5x6.0)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8212-H(TE12LQ,M Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TPC8212-H(TE12LQ,M-FT

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