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TPC8207(TE12L) Image

Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207(TE12L)

Numéro de pièce MFG
TPC8207(TE12L)
quantité disponible
80100 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TPC8207(TE12L).pdf
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TPC8207(TE12L) Caractéristiques

Référence fabricant TPC8207(TE12L)
Numéro de pièce future FT-TPC8207(TE12L)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TPC8207(TE12L) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 4.8A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2010pF @ 10V
Puissance - Max 450mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SOP (5.5x6.0)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8207(TE12L) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TPC8207(TE12L)-FT

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