maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI7904DN-T1-GE3
Référence fabricant | SI7904DN-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI7904DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7904DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 935µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.3W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7904DN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7904DN-T1-GE3-FT |
SI5504DC-T1-GE3
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A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
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EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
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