maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI5513DC-T1-E3
Référence fabricant | SI5513DC-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI5513DC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI5513DC-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.1A, 2.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5513DC-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI5513DC-T1-E3-FT |
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Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
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