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Référence fabricant | SI7270DP-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI7270DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7270DP-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
Puissance - Max | 17.8W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7270DP-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7270DP-T1-GE3-FT |
TPC8212-H(TE12LQ,M
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ALD212900APAL
Advanced Linear Devices Inc.
LN60A01EP-LF
Monolithic Power Systems Inc.
TPIC1502DW
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XC6SLX100-2FGG484C
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5AGXBA1D4F27I5N
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XC6SLX9-N3CSG225I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN672C
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LCMXO3L-1300E-5MG121I
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