maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / ALD212900PAL
Référence fabricant | ALD212900PAL |
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Numéro de pièce future | FT-ALD212900PAL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | EPAD®, Zero Threshold™ |
ALD212900PAL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 10.6V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm |
Vgs (th) (Max) @ Id | 20mV @ 20µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 5V |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALD212900PAL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ALD212900PAL-FT |
SI4923DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4933DY-T1-E3
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SI4933DY-T1-GE3
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Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-6F484C
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LCMXO3LF-6900C-5BG256I
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