maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI4941EDY-T1-E3
Référence fabricant | SI4941EDY-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI4941EDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4941EDY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 3.6W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4941EDY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4941EDY-T1-E3-FT |
SH8K41GZETB
Rohm Semiconductor
SH8K4TB1
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SH8KA2GZETB
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SH8M2TB1
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XC6SLX150T-N3FG900C
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XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
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LFE2-70E-6FN900I
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EP1M350F780I6N
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Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
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