maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SH8M12TB1
Référence fabricant | SH8M12TB1 |
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Numéro de pièce future | FT-SH8M12TB1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SH8M12TB1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A, 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SH8M12TB1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SH8M12TB1-FT |
NTQD4154ZR2
ON Semiconductor
NTQD6866R2
ON Semiconductor
NTQD6866R2G
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NTQD6968N
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NTQD6968NR2
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NTQD6968NR2G
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NTQD6968R2
ON Semiconductor
PMWD15UN,518
NXP USA Inc.
PMWD16UN,518
NXP USA Inc.
PMWD19UN,518
NXP USA Inc.
XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-L1FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FG256A
Microsemi Corporation
ICE40LM2K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX75CF23I7
Intel
EP2C50F484C8
Intel
EP1C12F256C7N
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5SGXEA5N2F45I3N
Intel
XCKU5P-2SFVB784E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation