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NXP USA Inc. PMWD16UN,518
- Numéro de pièce MFG
- PMWD16UN,518
- quantité disponible
- 88480 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
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- Date d'expédition
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- fabricant
- NXP USA Inc.
- Brève description
- TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- PMWD16UN,518.pdf
PMWD16UN,518 Caractéristiques
| Référence fabricant | PMWD16UN,518 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-PMWD16UN,518 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | TrenchMOS™ |
| PMWD16UN,518 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caractéristique FET | Logic Level Gate |
| Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23.6nC @ 4.5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1366pF @ 16V |
| Puissance - Max | 3.1W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMWD16UN,518 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | PMWD16UN,518-FT |
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