maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / LN60A01EP-LF
Référence fabricant | LN60A01EP-LF |
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Numéro de pièce future | FT-LN60A01EP-LF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
LN60A01EP-LF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 3 N-Channel, Common Gate |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 Ohm @ 10mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.3W |
Température de fonctionnement | -20°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LN60A01EP-LF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LN60A01EP-LF-FT |
SI4933DY-T1-GE3
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