maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / LN60A01EP-LF
Référence fabricant | LN60A01EP-LF |
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Numéro de pièce future | FT-LN60A01EP-LF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
LN60A01EP-LF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 3 N-Channel, Common Gate |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 Ohm @ 10mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.3W |
Température de fonctionnement | -20°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LN60A01EP-LF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LN60A01EP-LF-FT |
SI4933DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4940DY-T1-E3
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ICE5LP2K-SG48ITR
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005A-2AC
Microchip Technology
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10CX220YF780E5G
Intel
5CGXFC9A6U19I7
Intel
EP3SL110F1152C3
Intel
XC2VP20-7FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3C55F780C7N
Intel