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Vishay Siliconix SI5511DC-T1-GE3

Name: SI5511DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5511DC-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.9 (543 reviews)

Numéro de pièce MFG: SI5511DC-T1-GE3

quantité disponible: 17330 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: TrenchFET® MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SI5511DC-T1-GE3.pdf

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SI5511DC-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SI5511DC-T1-GE3
Numéro de pièce future	FT-SI5511DC-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchFET®
SI5511DC-T1-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N and P-Channel
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.1nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	435pF @ 15V
Puissance - Max	3.1W, 2.6W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur	1206-8 ChipFET™
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5511DC-T1-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SI5511DC-T1-GE3-FT

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