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Vishay Siliconix SI5509DC-T1-GE3

Name: SI5509DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5509DC-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.9 (214 reviews)

Numéro de pièce MFG: SI5509DC-T1-GE3

quantité disponible: 21660 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: TrenchFET® MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SI5509DC-T1-GE3.pdf

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SI5509DC-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SI5509DC-T1-GE3
Numéro de pièce future	FT-SI5509DC-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchFET®
SI5509DC-T1-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N and P-Channel
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.1A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 10V
Puissance - Max	4.5W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur	1206-8 ChipFET™
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5509DC-T1-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SI5509DC-T1-GE3-FT

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