maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI3400A-TP
Référence fabricant | SI3400A-TP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI3400A-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SI3400A-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.8A |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1.155nF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 400mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3400A-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI3400A-TP-FT |
FDN304PZ
ON Semiconductor
SI2319DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2365EDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
BSS214NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2312BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
NDS331N
ON Semiconductor
FDV302P
ON Semiconductor
NDS355AN
ON Semiconductor
2N7002E-T1-E3
Vishay Siliconix
FDN340P
ON Semiconductor
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel