maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSS214NH6327XTSA1
Référence fabricant | BSS214NH6327XTSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSS214NH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSS214NH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.7µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS214NH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSS214NH6327XTSA1-FT |
SI1413EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1414DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1417EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1417EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1419DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1422DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1424EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1426DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1426DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1427EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel