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Référence fabricant | SI1426DH-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI1426DH-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1426DH-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.8A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1426DH-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1426DH-T1-E3-FT |
DMG9N65CT
Diodes Incorporated
DMTH6010SCT
Diodes Incorporated
DMNH6008SCT
Diodes Incorporated
DMT6004SCT
Diodes Incorporated
DMTH4005SCT
Diodes Incorporated
DMTH6004SCT
Diodes Incorporated
DMG4N65CT
Diodes Incorporated
DMT6010SCT
Diodes Incorporated
2SK1119(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2544(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation