maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDN304PZ
Référence fabricant | FDN304PZ |
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Numéro de pièce future | FT-FDN304PZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDN304PZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1310pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SuperSOT-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDN304PZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDN304PZ-FT |
SI1413DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1413DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1413EDH-T1-E3
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SI1414DH-T1-GE3
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SI1417EDH-T1-E3
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SI1417EDH-T1-GE3
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SI1419DH-T1-E3
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SI1422DH-T1-GE3
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SI1424EDH-T1-GE3
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XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation