maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI1413DH-T1-E3
Référence fabricant | SI1413DH-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI1413DH-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1413DH-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1413DH-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1413DH-T1-E3-FT |
DMNH4005SCTQ
Diodes Incorporated
PSMN4R4-80PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-30PL,127
Nexperia USA Inc.
DMT4005SCT
Diodes Incorporated
TK12E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK17E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
DMNH10H028SCT
Diodes Incorporated
DMNH6008SCTQ
Diodes Incorporated
DMG4N60SCT
Diodes Incorporated
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel