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Diodes Incorporated DMNH10H028SCT

Name: DMNH10H028SCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMNH10H028SCT
Price: 1.36 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (639 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMNH10H028SCT

quantité disponible: 21940 Pièces

Prix de référence: USD 1.36

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 61V 100VTO220-3T

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMNH10H028SCT.pdf

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DMNH10H028SCT Caractéristiques

Référence fabricant	DMNH10H028SCT
Numéro de pièce future	FT-DMNH10H028SCT
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
DMNH10H028SCT Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	31.9nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1942pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMNH10H028SCT Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMNH10H028SCT-FT

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