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Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W,S1X
- Numéro de pièce MFG
- TK12E80W,S1X
- quantité disponible
- 37750 Pièces
- Prix de référence
- USD 2.64
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Brève description
- DTMOSIV MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- TK12E80W,S1X.pdf
TK12E80W,S1X Caractéristiques
| Référence fabricant | TK12E80W,S1X |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-TK12E80W,S1X |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | DTMOSIV |
| TK12E80W,S1X Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.5A (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 570µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 300V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 165W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 150°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
| Paquet / caisse | TO-220-3 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK12E80W,S1X Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | TK12E80W,S1X-FT |
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