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Référence fabricant | PSMN4R3-30PL,127 |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN4R3-30PL,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN4R3-30PL,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 12V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 103W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN4R3-30PL,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN4R3-30PL,127-FT |
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Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
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LCMXO3L-2100C-5BG256I
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