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Référence fabricant | SI1413EDH-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI1413EDH-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1413EDH-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 100µA (Min) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1413EDH-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1413EDH-T1-E3-FT |
PSMN4R3-30PL,127
Nexperia USA Inc.
DMT4005SCT
Diodes Incorporated
TK12E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK17E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
DMNH10H028SCT
Diodes Incorporated
DMNH6008SCTQ
Diodes Incorporated
DMG4N60SCT
Diodes Incorporated
DMG9N65CT
Diodes Incorporated
DMTH6010SCT
Diodes Incorporated
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel