maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDV302P
Référence fabricant | FDV302P |
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Numéro de pièce future | FT-FDV302P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FDV302P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 350mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDV302P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDV302P-FT |
SI1417EDH-T1-GE3
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SI1419DH-T1-E3
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