maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI1553CDL-T1-GE3
Référence fabricant | SI1553CDL-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI1553CDL-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1553CDL-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 700mA, 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 700mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 38pF @ 10V |
Puissance - Max | 340mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1553CDL-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1553CDL-T1-GE3-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
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