maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI1551DL-T1-E3
Référence fabricant | SI1551DL-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI1551DL-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1551DL-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 290mA, 410mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 270mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1551DL-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1551DL-T1-E3-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
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DMC2038LVTQ-7
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IRF5810
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IRF5810TR
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IRF5810TRPBF
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IRF5850
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IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
XC3S1500-5FGG320C
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XA6SLX16-2FTG256I
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XC2S200-6FGG256C
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQI
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5SGXMA7N3F45C3
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5SGXMA9N2F45I2N
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XC7VX690T-1FFG1930C
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LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
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LCMXO2-1200HC-4MG132IR1
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