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Référence fabricant | SI1405DL-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI1405DL-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1405DL-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 568mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1405DL-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1405DL-T1-E3-FT |
PSMN2R2-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R6-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30PL,127
Nexperia USA Inc.
DMTH6005LCT
Diodes Incorporated
DMTH10H010LCT
Diodes Incorporated
DMNH4005SCTQ
Diodes Incorporated
PSMN4R4-80PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-30PL,127
Nexperia USA Inc.
DMT4005SCT
Diodes Incorporated
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel