maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PSMN1R6-30PL,127
Référence fabricant | PSMN1R6-30PL,127 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PSMN1R6-30PL,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN1R6-30PL,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 212nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12493pF @ 12V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 306W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN1R6-30PL,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN1R6-30PL,127-FT |
IRFIZ34NPBF
Infineon Technologies
IRFIZ44G
Vishay Siliconix
IRFIZ46G
Vishay Siliconix
IRFIZ46NPBF
Infineon Technologies
IRFIZ48G
Vishay Siliconix
IRFIZ48VPBF
Infineon Technologies
IRLI2203NPBF
Infineon Technologies
IRLI2910
Infineon Technologies
IRLI3803PBF
Infineon Technologies
IRLI520G
Vishay Siliconix
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel