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Diodes Incorporated DMTH10H010LCT

Numéro de pièce MFG
DMTH10H010LCT
quantité disponible
76460 Pièces
Prix de référence
USD 1.448
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 100V 108A TO220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMTH10H010LCT.pdf
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DMTH10H010LCT Caractéristiques

Référence fabricant DMTH10H010LCT
Numéro de pièce future FT-DMTH10H010LCT
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMTH10H010LCT Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 108A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2592pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220AB
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMTH10H010LCT Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMTH10H010LCT-FT

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