maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SH8M41GZETB
Référence fabricant | SH8M41GZETB |
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Numéro de pièce future | FT-SH8M41GZETB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SH8M41GZETB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.4A, 2.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SH8M41GZETB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SH8M41GZETB-FT |
NTQD6968NR2G
ON Semiconductor
NTQD6968R2
ON Semiconductor
PMWD15UN,518
NXP USA Inc.
PMWD16UN,518
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PMWD19UN,518
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PMWD20XN,118
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PMWD26UN,518
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PMWD30UN,518
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STC5DNF30V
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