maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SH8M41GZETB
Référence fabricant | SH8M41GZETB |
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Numéro de pièce future | FT-SH8M41GZETB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SH8M41GZETB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.4A, 2.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SH8M41GZETB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SH8M41GZETB-FT |
NTQD6968NR2G
ON Semiconductor
NTQD6968R2
ON Semiconductor
PMWD15UN,518
NXP USA Inc.
PMWD16UN,518
NXP USA Inc.
PMWD19UN,518
NXP USA Inc.
PMWD20XN,118
NXP USA Inc.
PMWD26UN,518
NXP USA Inc.
PMWD30UN,518
NXP USA Inc.
STC5DNF30V
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STC5NF20V
STMicroelectronics
LCMXO2-640HC-4TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN030V2-ZUCG81I
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M1A3P1000L-1FGG484I
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EP20K300EFC672-1N
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EPF10K200SFC672-2
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5SGXMA5N3F40C2N
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LCMXO2-4000ZE-3FTG256C
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EP4CGX22CF19C7N
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EP20K200EQC208-2
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