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Référence fabricant | SBRT3U60P1-7 |
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Numéro de pièce future | FT-SBRT3U60P1-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SBRT3U60P1-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 560mV @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | POWERDI®123 |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI™ 123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBRT3U60P1-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBRT3U60P1-7-FT |
B320A-13
Diodes Incorporated
B340LA-13
Diodes Incorporated
ES1A-13
Diodes Incorporated
ES1D-13
Diodes Incorporated
S1B-13
Diodes Incorporated
1N4448WSF-7
Diodes Incorporated
1N4148WSF-7
Diodes Incorporated
10A02-T
Diodes Incorporated
6A10-T
Diodes Incorporated
10A07-T
Diodes Incorporated
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel